时间：2025/5/12 9:22:09
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GA0805A820KBABR31G 是一款由 GeneSiC 半导体生产的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件采用先进的 SiC 技术制造，具有出色的开关速度和低正向电压特性，适合高频、高效能的应用场景。
该型号的封装形式为 TO-247-3L，并且其设计能够承受较高的工作温度范围，从而提高了系统的可靠性和效率。
最大正向电流：10A
峰值反向电压：650V
正向电压（典型值）：1.55V
反向恢复时间：无（肖特基二极管）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到壳）：0.7 K/W
GA0805A820KBABR31G 具备以下关键特性：
1. 使用 SiC 材料制成，具备高耐压和高效率性能。
2. 超低正向压降，减少功率损耗，提升整体效率。
3. 零反向恢复电荷，非常适合高频开关应用。
4. 极高的工作温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 强大的抗浪涌能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持绿色能源方案。
此款肖特基二极管广泛应用于高频率、高效率需求的电力电子领域，例如：
1. 太阳能逆变器中的整流电路。
2. 开关电源 (SMPS) 中的输出整流。
3. 电机驱动系统中的续流保护。
4. 电动汽车充电设备中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
5. 工业自动化设备中的高频功率转换模块。
6. 不间断电源 (UPS) 系统中的能量管理组件。
GB0805A820KBABR31G
