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W25Q64JVSSIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 6:22:03 查看 阅读:4

W25Q64JVSSIQ TR 是 Winbond Electronics 公司生产的一款串行闪存存储器(Serial Flash)芯片,容量为64Mbit(8MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议进行数据读写操作。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费电子产品、工业控制设备和物联网(IoT)设备中,用于存储程序代码、固件、数据日志等信息。

参数

容量:64Mbit
  电压范围:2.3V至3.6V
  封装类型:8引脚 SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:SPI(标准、双线、四线模式)
  最大时钟频率:80MHz
  擦写周期:100,000次(典型值)
  数据保存时间:20年
  页面大小:256字节
  块大小:4KB、32KB、64KB
  支持JEDEC标准串行闪存可识别指令(SFDP)
  支持多种安全功能,如软件和硬件写保护、顶部/底部保护、一次性可编程(OTP)区域等

特性

W25Q64JVSSIQ TR 采用高性能的SPI NOR Flash技术,具备快速读取和写入能力,支持高速模式(Fast Read)、双输出读取(Dual Output Read)、四输出读取(Quad Output Read)等多种读取模式,从而提升数据传输效率。该芯片支持多种块保护机制,确保关键数据不会被意外擦除或写入,适用于对数据可靠性要求较高的应用场景。此外,该芯片内置一次性可编程(OTP)区域,可用于存储加密密钥或唯一设备标识符。W25Q64JVSSIQ TR 的工作温度范围宽,适用于工业级应用,并且符合RoHS环保标准。

应用

W25Q64JVSSIQ TR 常用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统中,例如:微控制器(MCU)系统的外部程序存储器、固件更新、图形显示存储、Wi-Fi或蓝牙模块的固件存储、智能电表、安防设备、车载电子系统、医疗设备、工业自动化设备等。

替代型号

W25Q64JVSSIM TR, W25Q64FVSSIQ TR, W25Q64JVZPIQ TR, W25Q64JVUXIQ TR

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W25Q64JVSSIQ TR参数

  • 现有数量227,196现货
  • 价格1 : ¥9.14000剪切带(CT)2,000 : ¥6.51602卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC