W25Q64FWSSIQ TR 是 Winbond 公司生产的一款串行闪存芯片,容量为 64Mbit(即 8MB),适用于各种需要高可靠性和高性能存储的应用场景。该芯片支持高速SPI接口,具有低功耗、高性能和小封装的特点,适合用于嵌入式系统、消费电子、工业控制和通信设备等领域。
容量:64Mbit
接口类型:SPI
工作电压:2.7V - 3.6V
最大时钟频率:104MHz
封装类型:SOIC 8-pin
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取模式:支持标准/双输出/四输出SPI
擦除操作:支持块擦除、扇区擦除和芯片擦除
写保护功能:软件和硬件写保护
存储结构:统一扇区结构(每扇区4KB)
编程时间:约3ms/页(典型值)
擦除时间:约40ms/扇区(典型值)
W25Q64FWSSIQ TR 具有多个显著特性,首先其采用高性能的SPI接口,支持多种读取模式(标准SPI、双输出SPI和四输出SPI),可满足不同系统对数据传输速率的需求。其次,该芯片内置高效的擦写机制,支持块擦除、扇区擦除和全片擦除,擦除和编程操作快速高效,延长了芯片的使用寿命。
此外,W25Q64FWSSIQ TR 提供了灵活的存储结构,整个存储空间被划分为多个4KB的扇区,支持精细的存储管理,便于进行固件更新和数据存储操作。芯片还内置了硬件和软件写保护功能,防止误操作导致数据丢失或损坏,提高了系统的稳定性。
在功耗方面,该芯片具有低功耗设计,支持多种低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,非常适合对功耗敏感的便携式设备。此外,W25Q64FWSSIQ TR 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种恶劣的工作环境,广泛应用于工业控制和汽车电子等领域。
最后,该芯片采用标准的8引脚SOIC封装,易于集成到各种电路板设计中,同时与多种微控制器和嵌入式系统兼容,简化了系统开发流程。
W25Q64FWSSIQ TR 常用于需要非易失性存储器的各类电子设备中,例如嵌入式系统中的固件存储、消费电子产品中的数据缓存、工业控制系统中的参数存储、通信设备中的配置存储等。此外,该芯片也适用于物联网设备、智能家居控制器、医疗设备和汽车电子模块,满足对存储容量、性能和可靠性有较高要求的应用场景。
W25Q64JVSSIQ TR, MX25L6433F, SST25VF064C, GD25Q64CS