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W25Q64FWSSIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:40:07 查看 阅读:3

W25Q64FWSSIQ TR 是 Winbond 公司生产的一款串行闪存芯片,容量为 64Mbit(即 8MB),适用于各种需要高可靠性和高性能存储的应用场景。该芯片支持高速SPI接口,具有低功耗、高性能和小封装的特点,适合用于嵌入式系统、消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

容量:64Mbit
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V - 3.6V
  最大时钟频率:104MHz
  封装类型:SOIC 8-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取模式:支持标准/双输出/四输出SPI
  擦除操作:支持块擦除、扇区擦除和芯片擦除
  写保护功能:软件和硬件写保护
  存储结构:统一扇区结构(每扇区4KB)
  编程时间:约3ms/页(典型值)
  擦除时间:约40ms/扇区(典型值)

特性

W25Q64FWSSIQ TR 具有多个显著特性,首先其采用高性能的SPI接口,支持多种读取模式(标准SPI、双输出SPI和四输出SPI),可满足不同系统对数据传输速率的需求。其次,该芯片内置高效的擦写机制,支持块擦除、扇区擦除和全片擦除,擦除和编程操作快速高效,延长了芯片的使用寿命。
  此外,W25Q64FWSSIQ TR 提供了灵活的存储结构,整个存储空间被划分为多个4KB的扇区,支持精细的存储管理,便于进行固件更新和数据存储操作。芯片还内置了硬件和软件写保护功能,防止误操作导致数据丢失或损坏,提高了系统的稳定性。
  在功耗方面,该芯片具有低功耗设计,支持多种低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,非常适合对功耗敏感的便携式设备。此外,W25Q64FWSSIQ TR 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种恶劣的工作环境,广泛应用于工业控制和汽车电子等领域。
  最后,该芯片采用标准的8引脚SOIC封装,易于集成到各种电路板设计中,同时与多种微控制器和嵌入式系统兼容,简化了系统开发流程。

应用

W25Q64FWSSIQ TR 常用于需要非易失性存储器的各类电子设备中,例如嵌入式系统中的固件存储、消费电子产品中的数据缓存、工业控制系统中的参数存储、通信设备中的配置存储等。此外,该芯片也适用于物联网设备、智能家居控制器、医疗设备和汽车电子模块,满足对存储容量、性能和可靠性有较高要求的应用场景。

替代型号

W25Q64JVSSIQ TR, MX25L6433F, SST25VF064C, GD25Q64CS

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W25Q64FWSSIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页5ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC