PFD3N80 时间：2025/8/6 22:29:38 阅读：17

PFD3N80是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的导通电阻和热稳定性。PFD3N80通常用于电源转换、马达控制、DC-DC转换器和开关电源等场景，其高耐压能力和低导通损耗使其成为高效率设计的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

PFD3N80具备多项突出特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可高达800V，适用于高压电源应用。其次，该器件的导通电阻较低，最大值约为2.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，PFD3N80的栅极驱动电压范围较宽，允许在±30V范围内工作，为设计者提供了更大的灵活性。在热性能方面，其封装形式（TO-220）具备良好的散热能力，有助于在高功率条件下保持稳定工作。该器件还具有较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较高的电流负载而不损坏。
　　从可靠性角度来看，PFD3N80的制造工艺确保了其在极端工作条件下仍能保持稳定性能，适用于工业和高可靠性应用。其低栅极电荷（Qg）也使得开关损耗较低，有助于提高开关速度和整体系统效率。

应用

PFD3N80广泛应用于多种高电压和高功率场景，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机驱动和控制电路。由于其高耐压特性，它也非常适合用于光伏逆变器和LED照明驱动电源等新能源相关设备。此外，PFD3N80可用于工业自动化设备中的功率开关，例如变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）。在消费类电子产品中，它也常用于高功率LED照明系统、智能家电和电源管理系统。