您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W25Q32JVZPJQ TR

W25Q32JVZPJQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 8:41:59 查看 阅读:11

W25Q32JVZPJQ TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存(Serial Flash)芯片,属于其高性能、低功耗的SPI NOR Flash产品系列。该芯片的容量为32Mbit(即4MB),适用于各种嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备以及通信设备中。W25Q32JVZPJQ TR采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,同时也支持高速SPI模式,如Dual SPI和Quad SPI,从而显著提高数据传输速率。这款芯片封装为8引脚的SOIC(Small Outline Integrated Circuit),符合RoHS环保标准,适合工业级温度范围使用。

参数

容量:32Mbit(4MB)
  电压范围:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI(支持Dual/Quad SPI)
  时钟频率:最高可达80MHz(标准SPI模式)
  擦除块大小:4KB(扇区擦除)、32KB、64KB(块擦除)
  编程/擦写周期:10万次(典型值)
  数据保存时间:20年(典型值)
  封装类型:8-SOIC
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W25Q32JVZPJQ TR具有多种性能和功能上的优势。首先,它支持多种SPI模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,使得用户可以根据系统需求选择合适的通信模式,从而在速度和硬件资源之间取得平衡。其次,该芯片的读取和写入速度较快,在高速SPI模式下可以实现高达80MHz的时钟频率,满足对数据传输速率要求较高的应用场景。
  在存储结构方面,W25Q32JVZPJQ TR采用分块架构,支持4KB扇区擦除以及32KB和64KB块擦除操作,这种灵活的擦除机制允许用户对存储空间进行精细化管理,减少不必要的擦除操作,延长芯片使用寿命。此外,该芯片还支持写保护功能,可以通过软件或硬件方式保护特定的存储区域,防止意外写入或擦除,提高数据安全性。
  功耗方面,W25Q32JVZPJQ TR设计为低功耗模式,支持深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),在不使用时可大幅降低功耗,适用于电池供电设备或其他对能耗敏感的应用场景。

应用

W25Q32JVZPJQ TR广泛应用于嵌入式系统、物联网(IoT)设备、智能家电、工业控制系统、医疗设备、车载电子系统、无线模块、传感器节点等需要非易失性存储器的场合。例如,在智能电表中,该芯片可用于存储固件和校准数据;在Wi-Fi模块或蓝牙模块中,可用于存储协议栈和配置信息;在工业控制设备中,可用于存储系统参数和日志数据。由于其低功耗、高可靠性和灵活的擦写机制,W25Q32JVZPJQ TR也常用于需要频繁更新数据或固件的应用中。

替代型号

W25Q32JVSSIQ TR, W25X32BVZPIG TR, MX25L3206E, GD25Q32ETR

W25Q32JVZPJQ TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W25Q32JVZPJQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织4M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(6x5)