时间：2025/8/20 8:55:49
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W25Q32JVSNIM TR 是 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片，容量为32Mbit（4MB），采用标准的SPI（串行外设接口）协议进行通信。该芯片广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中，例如消费电子、工业控制、物联网设备和汽车电子等领域。W25Q32JVSNIM TR 采用 8 引脚 SOIC 封装，适合空间受限的设计。其高可靠性、快速读写速度和低功耗特性使其成为替代传统并行NOR闪存的理想选择。
容量：32Mbit（4MB）
接口类型：标准SPI（单线输入/输出）
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8引脚 SOIC
读取速度：最高支持80MHz SPI时钟频率
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
编程页大小：256字节
擦除块大小：4KB、32KB、64KB 和整片擦除
保持数据时间：20年
擦写次数：10万次以上
W25Q32JVSNIM TR 串行闪存芯片具备多项先进特性，使其在嵌入式应用中表现出色。
首先，该芯片支持标准SPI接口，提供高达80MHz的时钟频率，确保快速的数据读取速度，适用于需要快速启动和执行代码的应用场景，如固件存储和数据缓存。
其次，W25Q32JVSNIM TR 的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，同时具备低功耗模式，适合电池供电设备使用，如无线传感器和便携式设备。
此外，该芯片支持灵活的擦除操作，包括4KB、32KB、64KB扇区擦除以及全片擦除，允许用户根据需求进行精细的数据管理。每页编程大小为256字节，确保高效的写入操作。
在可靠性方面，W25Q32JVSNIM TR 支持超过10万次的擦写周期，数据保持时间可达20年，适用于长期存储关键数据的应用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级环境要求。
该芯片还集成了多种安全特性，如软件和硬件写保护功能、顶部或底部保护模式，以及64位唯一ID识别码，增强了设备的安全性和可追踪性。
最后，8引脚SOIC封装形式不仅节省空间，而且具有良好的焊接可靠性和散热性能，适用于自动化生产和高密度PCB布局。
W25Q32JVSNIM TR 主要用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括：固件存储，例如在微控制器（MCU）系统中存储启动代码（Bootloader）和程序代码；数据日志记录，如工业控制系统中采集和存储传感器数据；物联网设备中的配置信息存储；汽车电子中的ECU（电子控制单元）固件存储；消费类电子产品如智能手表、智能家居设备和穿戴设备中的代码和数据存储；网络设备中的BIOS或配置文件存储等。由于其高可靠性、低功耗和小封装特性，也广泛应用于手持设备和便携式仪器中。
IS25LP032D, MX25L3206E, SST25VF032B
