W25Q16DVUUJP TR 是 Winbond 公司生产的一款串行闪存(Serial Flash)芯片,属于 NOR 型闪存类别。这款芯片的容量为 16Mbit(2MB),采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该器件专为高可靠性、低功耗和高性能应用设计,广泛用于嵌入式系统、网络设备、存储模块以及其他需要非易失性存储的场景。W25Q16DVUUJP TR 的封装形式为 8 引脚的 UDFN(Ultra Thin Dual Flat No-lead),尺寸小巧,适合空间受限的设计。其工作温度范围为工业级(-40°C 至 +85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。
容量:16Mbit(2MB)
接口类型:SPI
工作电压:2.3V 至 3.6V
最大时钟频率:80MHz
擦除块大小:4KB、32KB、64KB
编程页大小:256字节
写保护功能:软件和硬件写保护
封装类型:UDFN-8
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
待机电流:10uA(典型值)
编程/擦除电流:10mA(典型值)
W25Q16DVUUJP TR 是一款性能优异的串行闪存芯片,具备多种增强型功能以满足不同应用场景的需求。首先,它支持高速 SPI 接口,最大时钟频率可达 80MHz,确保快速的数据读取和写入操作,适用于需要高速数据存取的应用,如固件存储和数据缓存。其次,芯片内部支持多种擦除块大小(4KB、32KB、64KB),提供灵活的存储管理方式,有助于优化存储空间的使用效率。此外,W25Q16DVUUJP TR 提供页编程功能,每页 256 字节,允许用户高效地更新数据而无需全片擦除。
在可靠性方面,该芯片具备卓越的耐久性和数据保持能力,支持 100,000 次编程/擦除周期,并可保持数据长达 20 年。其内置的软件和硬件写保护机制可有效防止意外数据修改,提高系统稳定性。芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,适用于多种电源环境,且功耗极低,在待机模式下仅消耗 10uA 电流,非常适合电池供电设备使用。
封装方面,W25Q16DVUUJP TR 采用 8 引脚 UDFN 封装,尺寸仅为 8mm x 6mm,适用于紧凑型 PCB 设计。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)确保在各种恶劣环境下的稳定运行。
W25Q16DVUUJP TR 适用于多种嵌入式系统和电子设备,尤其适合需要高性能、低功耗和小封装的场景。常见应用包括微控制器的外部程序存储器、网络设备的固件存储、工业控制系统的参数存储、消费类电子产品的配置数据存储、汽车电子模块的程序更新、传感器节点的数据缓存等。此外,该芯片也可用于物联网(IoT)设备、智能卡、安防摄像头、医疗设备等对空间和功耗有严格要求的应用。
W25Q16JVSSIQ TR, W25Q16FWUXIE TR, SST25VF016B-100K8A TR