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W25Q16DVSNJP TR 发布时间 时间:2025/8/20 14:58:30 查看 阅读:5

W25Q16DVSNJP TR 是 Winbond 公司推出的一款串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为 16M-bit(即 2MB),采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中,例如固件存储、数据日志记录、配置信息保存等场景。W25Q16DVSNJP 属于 W25Q 系列中的一种,具有高性能、低功耗和高可靠性的特点。

参数

工作电压:2.3V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  存储容量:16M-bit(2MB)
  页面大小:256 字节
  扇区大小:4KB
  块大小:64KB
  擦写次数:100,000 次(典型值)
  数据保存时间:20 年
  接口类型:SPI(标准 4 线 SPI)
  最大时钟频率:80MHz
  封装类型:8-Pin SOIC

特性

W25Q16DVSNJP TR 具备多种实用特性,使其适用于各种嵌入式应用场景。首先,它支持标准 SPI 接口,便于与各种微控制器(MCU)连接,简化硬件设计。其次,芯片内部采用扇区和块擦除机制,支持灵活的存储管理,用户可以单独擦除特定区域而不影响其他数据,提高系统效率。此外,W25Q16DVSNJP TR 支持高速读写操作,最大时钟频率可达 80MHz,显著提升数据传输速度。
  在安全性方面,W25Q16DVSNJP TR 提供软件和硬件写保护功能,防止误擦写或误编程,确保关键数据的安全性。同时,芯片支持 JEDEC 标准 ID 识别,便于系统识别和兼容不同厂商的产品。该芯片还具备低功耗特性,支持多种省电模式,适用于对功耗敏感的便携式设备和物联网应用。
  可靠性方面,W25Q16DVSNJP TR 具备高达 100,000 次的擦写寿命和 20 年的数据保持能力,满足工业级应用对稳定性和耐用性的要求。其封装形式为 8-Pin SOIC,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。

应用

W25Q16DVSNJP TR 主要应用于需要外部非易失性存储器的嵌入式系统中。例如,在工业控制设备中用于存储固件和校准数据;在通信模块中用于保存配置参数和日志信息;在消费电子产品如智能穿戴设备、智能家居控制器中用于存储启动代码和用户设置。此外,该芯片也广泛用于汽车电子系统,如车载导航、仪表盘控制器等,满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
  由于其高集成度和低功耗特性,W25Q16DVSNJP TR 也适用于物联网设备和无线传感器网络节点,用于存储固件升级包、传感器采集数据等。同时,该芯片在医疗电子设备中也有广泛应用,如便携式血糖仪、心率监测仪等,用于保存设备配置和用户健康数据。

替代型号

W25Q16JVSNIM TR, W25Q16FWSSNM TR, MX25L1606E, SST25VF016B

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W25Q16DVSNJP TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC