W25Q128FVSSIQ 是 Winbond Electronics(华邦电子)公司生产的一款串行闪存(Serial Flash)芯片,属于其 W25Q 系列的高性能、低功耗非易失性存储器产品之一。该芯片的容量为128Mbit(16MB),适用于各种嵌入式系统和数据存储应用。W25Q128FVSSIQ 采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,支持高速数据传输,适用于需要大容量存储和快速读取的应用场景。该芯片采用 8 引脚 SSOP 封装,工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C,适用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。
容量:128Mbit
存储结构:16MB(每页256字节)
接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
最大工作频率:104MHz
电压范围:2.3V 至 3.6V
封装类型:8-SSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取模式:支持标准、双输出、四输出和连续读取模式
编程/擦除电压:内部电荷泵
编程时间(典型值):1.3ms(页编程)
擦除时间(典型值):40ms(扇区擦除)、2s(整片擦除)
W25Q128FVSSIQ 具有多种先进的功能和特性,使其在众多闪存产品中脱颖而出。首先,它支持高速SPI接口,最高可达104MHz的时钟频率,允许在四线模式下实现高达4x的吞吐量,显著提升数据传输效率。这使得它非常适合用于需要快速读取代码和数据的嵌入式系统,如微控制器启动代码存储(XIP,Execute In Place)和固件更新。
其次,W25Q128FVSSIQ 支持多种读写操作模式,包括标准SPI、双线输出(Dual Output)、四线输出(Quad Output)以及连续读取模式,提供灵活的配置选项,满足不同应用场景的性能需求。芯片内部集成了页编程(Page Program)和扇区擦除(Sector Erase)功能,用户可以按需修改特定区域的数据,而不影响其他存储内容,提升了存储管理的效率。
此外,该芯片具备低功耗特性,支持多种省电模式,如掉电模式(Power-Down Mode)和休眠模式(Sleep Mode),非常适合电池供电设备或对能耗敏感的应用。其内置的写保护机制(包括软件和硬件写保护)可有效防止误写和数据损坏,确保关键数据的安全性。
最后,W25Q128FVSSIQ 的封装尺寸小巧(8-SSOP),便于在空间受限的设计中使用,同时具备良好的工业级温度适应能力,确保在各种恶劣环境条件下稳定运行。
W25Q128FVSSIQ 广泛应用于多个领域,包括但不限于:嵌入式系统中的程序存储和数据记录;工业自动化设备中的固件更新和参数配置;车载电子系统(如仪表盘、行车记录仪)中的日志存储和软件更新;智能家居设备中的OTA(空中下载)升级;物联网(IoT)设备中的传感器数据存储与通信;以及消费类电子产品(如路由器、智能手表)中的代码和资源文件存储。由于其高速、低功耗和高可靠性的特点,W25Q128FVSSIQ 是许多中高端嵌入式系统设计的理想选择。
W25Q128JVSSIQ, W25Q128FVSQ, W25Q128JVIM, W25Q64JVSSIQ, W25Q256JVSSIM