您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W25Q128FVSJP TR

W25Q128FVSJP TR 发布时间 时间:2025/8/20 13:30:31 查看 阅读:11

W25Q128FVSJP TR 是 Winbond Electronics(华邦电子)公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),容量为128M-bit(即16MB)。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,支持高速数据读写操作,广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备、网络设备和汽车电子等领域。W25Q128FVSJP TR采用8引脚SOIC封装,适用于表面贴装工艺,符合RoHS环保标准。

参数

容量:128M-bit(16MB)
  接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  读取频率:最高支持80MHz
  编程/擦除电压:3V
  封装类型:8-SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

W25Q128FVSJP TR具备多种高性能特性,使其在嵌入式系统中具有广泛的应用前景。首先,它支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口模式,Quad SPI模式下数据传输速率可高达80MHz,显著提升系统的读写效率。此外,芯片内部集成了16个可锁定的保护寄存器块,支持硬件写保护功能,有助于保护关键数据免受意外修改。该芯片支持页编程(Page Program)操作,每页大小为256字节,确保了高效的数据写入能力。W25Q128FVSJP TR还具备高性能的擦除功能,包括扇区擦除(4KB)、块擦除(32KB或64KB)以及全片擦除(Bulk Erase),满足不同应用场景的需求。在可靠性方面,该芯片支持超过10万次的编程/擦除周期,并具有20年数据保持能力,适合长期稳定运行的系统使用。同时,该芯片具有宽温工作范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级和汽车电子应用环境。
  此外,W25Q128FVSJP TR还支持多种低功耗模式,如掉电模式(Power-Down Mode)和休眠模式(Sleep Mode),有助于降低系统功耗,延长电池续航时间。其内部集成的自动清除(Auto-Erase)功能可有效提升擦除效率。该芯片还支持JEDEC标准的ID识别指令,便于主控芯片识别和配置。整体来看,W25Q128FVSJP TR是一款性能稳定、功能丰富、适用于多种应用场景的高性能串行闪存芯片。

应用

W25Q128FVSJP TR广泛应用于各种嵌入式系统和电子设备中。例如,在消费类电子产品中,它常用于存储固件、启动代码、图像数据和音频文件;在工业控制系统中,可用于存储设备配置信息、校准数据和程序代码;在网络设备中,该芯片适用于存储路由器或交换机的启动固件和配置文件;在汽车电子领域,W25Q128FVSJP TR可支持车载娱乐系统、仪表盘显示模块和ADAS(高级驾驶辅助系统)的数据存储需求。此外,该芯片也适用于物联网设备、智能穿戴设备、医疗设备和安防摄像头等需要高可靠性存储解决方案的场合。

替代型号

MX25L12835F, GD25Q128C, SST25VF016B

W25Q128FVSJP TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W25Q128FVSJP TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC