容量：128K x 8位（1Mbit）
　　访问时间：55ns
　　工作电压：3.3V（典型）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　读写操作：异步操作，支持片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制
　　功耗：低待机电流，典型待机电流小于10mA

HY628100ALT1-55 SRAM芯片具备多项显著特性，首先其高速访问时间为55ns，能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景。其次，该芯片采用CMOS技术制造，具备良好的功耗控制能力，在待机状态下电流消耗极低，延长了设备的使用时间和能效表现。
　　此外，该芯片支持异步读写操作，允许在没有时钟信号的情况下进行数据访问，这使得其在设计上更加灵活，适用于多种嵌入式系统架构。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适合应用于紧凑型电子产品中。
　　HY628100ALT1-55的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，能够在各种严苛环境中稳定运行。其电源电压为3.3V，兼容当前主流的低压数字系统，降低了与外围电路的接口设计复杂度。
　　该芯片的控制引脚包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），使得用户能够灵活控制芯片的工作模式，如读取、写入和待机状态，提高了系统的可控性和能效。

HY628100ALT1-55 SRAM芯片因其高速、低功耗和工业级工作温度范围，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，该芯片常用于缓存数据或临时存储运行中的程序代码，如路由器、交换机等网络设备中的高速缓冲存储器。
　　在工业控制领域，HY628100ALT1-55可作为可编程逻辑控制器（PLC）或工业计算机中的快速数据存储单元，用于实时处理和存储关键数据，确保系统的稳定性和响应速度。
　　消费类电子产品方面，该芯片也常用于打印机、扫描仪、数码相机等设备中，作为图像缓存或指令存储器，提升设备的运行效率。
　　此外，在嵌入式系统和汽车电子中，HY628100ALT1-55因其高可靠性和宽温工作能力，被广泛用于车载导航、行车记录仪以及车载通信模块等应用中，保障了在复杂环境下的稳定运行。

IS62WV1008EBLL-55NLI, CY62148EALL55ZS, IDT71V416SA55B, A621008A-55DR2