型号: 2SC3790E-RA
　　极性: NPN
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 50V
　　集电极-基极击穿电压 (VCBO): 70V
　　发射极-基极击穿电压 (VEBO): 4V
　　最大集电极电流 (IC): 1A
　　最大功耗 (Pc): 800mW
　　直流电流增益 (hFE): 200 ~ 400（典型值，测试条件IC = 150mA）
　　特征频率 (fT): 200MHz
　　工作结温范围 (Tj): -55°C ~ +150°C
　　存储温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: SOT-89 或类似小型表面贴装封装

2SC3790E-RA晶体管具备优异的高频响应能力和稳定的直流性能，使其成为高性能模拟放大电路的理想选择。其高特征频率（fT高达200MHz）确保了在高频应用中仍能保持良好的增益表现，适用于射频和中频放大器设计。该器件的直流电流增益（hFE）范围为200至400，在典型工作电流下表现出较高的放大倍数和一致性，减少了外围补偿电路的需求，提升了整体系统的稳定性。
　　该晶体管采用高可靠性硅外延工艺制造，具备出色的热稳定性和抗饱和能力，能够在温度变化较大的环境中保持性能稳定。其较低的基极扩展电阻和优化的结构设计有效降低了噪声系数，使其在低电平信号放大时表现出色，尤其适用于前置放大器和高保真音频应用。
　　此外，2SC3790E-RA的小型化表面贴装封装不仅节省了印刷电路板空间，还提高了自动化生产效率，适合现代电子产品对小型化和高集成度的要求。其最大集电极电流可达1A，支持一定的负载驱动能力，可作为中等功率放大或驱动级使用。同时，器件具备良好的安全工作区（SOA），在瞬态过载情况下仍能保持可靠运行。
　　该晶体管的工作结温最高可达+150°C，具备较强的耐热能力，适合在高温环境下长期运行。其电气参数经过严格筛选和测试，保证批次间的一致性，便于批量生产和质量控制。综合来看，2SC3790E-RA是一款兼顾高频性能、增益稳定性和热可靠性的通用型NPN晶体管，广泛应用于各类高性能模拟电路中。

2SC3790E-RA广泛应用于各类需要高增益、低噪声和良好频率响应的模拟电路中。常见用途包括便携式音频设备中的前置放大器和功率放大器，如MP3播放器、蓝牙音箱、耳机放大器等，凭借其高hFE和低失真特性，能够提供清晰、高保真的声音输出。
　　在通信系统中，该晶体管可用于射频接收前端的小信号放大，例如无线模块、对讲机、收音机调谐电路等，其200MHz的特征频率足以覆盖FM广播频段及部分VHF应用。
　　此外，2SC3790E-RA也适用于各类电源管理电路中的驱动级，如DC-DC转换器的开关驱动、LED恒流源控制电路等，利用其快速开关特性和较高电流驱动能力实现高效控制。
　　在工业控制和消费类电子产品中，该器件常用于传感器信号调理电路、运算放大器输入级替代、脉冲放大电路等场合。其SOT-89封装形式适合自动化贴片生产，广泛用于智能手机、平板电脑、智能家居设备等紧凑型电子产品中。由于其良好的温度适应性和长期稳定性，也可用于环境条件较为严苛的工业应用场景。

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　　 "2SC3790",
　　 "2SC3790E",
　　 "KSC3790",
　　 "MMBT3904",
　　 "2N3904"
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