容量：128Mbit（16MB）
　　接口类型：SPI（支持单线、双线、四线模式）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SOP（150mil）
　　读取频率：最高可达80MHz（四线模式下）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　编程时间：1ms/页（典型值）
　　擦除时间：30ms/扇区（4KB），2秒/块（64KB），30秒/全片
　　存储结构：256个可擦除的扇区，每个扇区4KB，16个保护块

W25Q128FVFIGS 采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的读写性能和稳定性。其主要特性包括：
　　1. **高速SPI接口**：支持标准SPI、双线SPI（Dual SPI）、四线SPI（Quad SPI）等多种通信模式，最高读取频率可达80MHz，显著提升数据传输效率。
　　2. **低功耗设计**：在待机模式下，电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用场景，如便携式设备和电池供电系统。
　　3. **灵活的存储管理**：提供256个4KB扇区，支持按页（256字节）编程、按扇区或块擦除等操作，方便用户进行数据管理。
　　4. **硬件和软件保护**：支持通过写保护引脚（WP#）和状态寄存器对特定存储区域进行锁定，防止误擦写和误编程。
　　5. **高可靠性**：具备超过10万次的擦写寿命，数据保存时间可达20年以上，适用于要求高稳定性和长寿命的应用环境。
　　6. **多种擦除模式**：支持4KB扇区擦除、64KB块擦除以及全片擦除，满足不同场景下的数据清除需求。
　　7. **自动擦除和编程功能**：内置电荷泵电路，可自动产生所需的高压进行编程和擦除操作，简化了外部电源设计。

W25Q128FVFIGS 主要应用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统中，如路由器、智能卡、工业控制设备、消费电子产品（如智能手表、运动相机）、通信设备和存储模块。其高速读写能力和低功耗特性使其特别适合用于固件存储、数据日志记录、图形存储以及代码执行（XIP）等任务。此外，该芯片还广泛用于需要频繁更新数据的场合，如IoT设备和远程监控系统。

W25Q128JVFMG, MX25L12835F, GD25Q128C