IPP60R099C6是英飞凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用PQFN5*6封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其出色的性能使其成为高频开关应用的理想选择。
型号:IPP60R099C6
封装:PQFN5*6
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):9.9mΩ
Id(连续漏极电流):41A
栅极电荷(Qg):27nC
输入电容(Ciss):1240pF
总热阻(结到壳):1°C/W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IPP60R099C6的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷设计,支持更高的开关频率和更低的开关损耗。
3. 高效的散热性能,确保在高温环境下的稳定运行。
4. 紧凑的PQFN封装形式,节省PCB空间。
5. 出色的雪崩能力和抗静电能力,提高了系统的可靠性和鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保且适合多种工业应用需求。
这些特性使得IPP60R099C6非常适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
IPP60R099C6广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 工业及消费类电机驱动电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
6. 光伏逆变器以及其他对能效有严格要求的设备。
由于其高效能表现和可靠的99C6已成为众多工程师在设计功率管理相关产品时的首选器件之一。
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