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IPP60R099C6 发布时间 时间:2025/5/7 15:30:07 查看 阅读:13

IPP60R099C6是英飞凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用PQFN5*6封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其出色的性能使其成为高频开关应用的理想选择。

参数

型号:IPP60R099C6
  封装:PQFN5*6
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):9.9mΩ
  Id(连续漏极电流):41A
  栅极电荷(Qg):27nC
  输入电容(Ciss):1240pF
  总热阻(结到壳):1°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IPP60R099C6的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
  2. 优化的栅极电荷设计,支持更高的开关频率和更低的开关损耗。
  3. 高效的散热性能,确保在高温环境下的稳定运行。
  4. 紧凑的PQFN封装形式,节省PCB空间。
  5. 出色的雪崩能力和抗静电能力,提高了系统的可靠性和鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合多种工业应用需求。
  这些特性使得IPP60R099C6非常适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。

应用

IPP60R099C6广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 工业及消费类电机驱动电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  6. 光伏逆变器以及其他对能效有严格要求的设备。
  由于其高效能表现和可靠的99C6已成为众多工程师在设计功率管理相关产品时的首选器件之一。

替代型号

IPP60R130C6
  IPP60R150CP
  IPP60R198CP

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IPP60R099C6参数

  • 数据列表IPx60R099C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C99 毫欧 @ 18.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.21mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs119nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2660pF @ 100V
  • 功率 - 最大278W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000687556