容量：4Gb
　　接口：SPI
　　封装类型：TBGA
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　读取速度：最大120MHz
　　编程/擦除耐久性：10万次
　　数据保持时间：10年

W25N04KVTBIR 是一款高性能、高可靠性的串行NAND闪存芯片，其核心特性包括宽电压工作范围（2.3V至3.6V），适合多种电源设计环境。该芯片支持高速SPI接口，最高时钟频率可达120MHz，提供快速的数据读取能力，满足实时数据存储和读取需求。此外，该芯片具备高达10万次的编程/擦除耐久性，确保在频繁写入操作下仍能维持稳定运行。数据保持时间长达10年，即使在断电情况下也能保证数据的完整性。
　　该芯片采用TBGA封装，体积小巧，适合空间受限的嵌入式系统设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，如工业控制、车载系统和通信设备。W25N04KVTBIR 还支持页缓存编程、纠错码（ECC）功能以及坏块管理，进一步提升数据存储的可靠性和容错能力，特别适合对数据完整性要求较高的应用场景。

W25N04KVTBIR 适用于多种嵌入式存储应用，包括但不限于工业控制系统、固态硬盘（SSD）、网络设备（如路由器和交换机）、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）、车载电子系统、物联网（IoT）设备以及数据记录仪等。由于其高容量、高速SPI接口和宽温工作范围，该芯片特别适合需要长期稳定运行并存储大量数据的系统。例如，在工业控制领域，它可以用于存储程序代码、配置数据或日志信息；在网络设备中，可用于固件存储和运行时数据缓存；在物联网设备中，则可作为主存储器或辅助存储器，支持固件更新和数据本地缓存。

W25N04GVZEIG, W25M128JVFIQ, GD5F1GQ4UCYIG