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W25N02KVZEIR TR 发布时间 时间:2025/8/20 11:44:30 查看 阅读:16

W25N02KVZEIR TR 是由 Winbond 公司推出的一款串行闪存(Serial Flash)芯片,属于 NAND Flash 存储器类别。这款芯片设计用于需要高存储密度和快速数据访问的应用场景,其采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,便于集成到嵌入式系统中。W25N02KVZEIR TR 具有高可靠性和耐用性,适用于工业级产品设计。

参数

容量:2Gb(Gigabit)
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  电压范围:1.65V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP
  存储器类型:NAND Flash
  读取速度:最大可达 104MHz
  擦写周期:10,000 次(典型值)
  数据保存时间:10 年(典型值)

特性

W25N02KVZEIR TR 的主要特性包括其高性能和低功耗设计,适用于多种嵌入式应用。其 SPI 接口简化了主控芯片的连接复杂度,并减少了 PCB 布线空间需求。芯片支持快速读取操作,最高频率可达 104MHz,显著提高了数据传输效率。此外,该芯片具有良好的耐用性,支持高达 10,000 次擦写周期,确保了长期使用的可靠性。
  该器件还内置纠错机制(ECC),以提升数据完整性,同时支持坏块管理,从而延长存储器的使用寿命。低电压范围(1.65V 至 3.6V)使其适用于电池供电设备和低功耗系统。TSOP 封装形式则提供了良好的热稳定性和机械稳定性,适合工业级环境下的应用需求。

应用

W25N02KVZEIR TR 广泛应用于需要大容量非易失性存储的场景,如工业控制系统、智能卡终端、数据采集设备、物联网(IoT)设备、医疗设备、车载导航系统以及消费类电子产品。由于其高可靠性和耐用性,特别适合对数据存储要求较高的嵌入式系统。例如,在工业控制中,它可以用于存储固件、配置数据或运行日志;在物联网设备中,则可作为主存储器或辅助存储器,支持设备的数据缓存和持久化存储。

替代型号

W25N01GVZEIR TR, W25N04KVZEIR TR, GD5F1GQ4UCYIG, MX35LF2GE4AD

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W25N02KVZEIR TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥27.58368卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页700μs
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)