型号：UPV0J391MGD
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A（@ Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-17.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：39mΩ（@ Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ Vds = 15V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@ Vds = 15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ Vds = 15V）
　　总栅极电荷（Qg）：12nC（@ Vgs = -10V）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：CST3

UPV0J391MGD作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项关键特性，使其在电源管理领域表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在-10V和-4.5V栅极驱动条件下分别达到39mΩ和50mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长电池续航时间。
　　其次，该器件具有较低的总栅极电荷（Qg = 12nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而减少了开关损耗并提升了高频开关应用中的能效表现。同时，低输入电容（Ciss = 570pF）和反向传输电容（Crss = 50pF）有助于减少噪声耦合，提高系统的EMI性能，特别适合用于高密度集成的便携式设备中。
　　UPV0J391MGD采用P沟道结构，简化了栅极驱动电路设计，尤其在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现有效控制，降低了系统复杂度和成本。其阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，确保了在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，兼容3.3V或5V微控制器输出。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和高达150°C的最大结温，可在严苛环境下稳定运行。CST3封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，提升了功率密度。综合来看，UPV0J391MGD在效率、尺寸、可靠性和易用性方面实现了良好平衡，是现代低电压功率开关的理想选择。

UPV0J391MGD广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关和电源路径管理。在这些设备中，它用于控制电池与不同功能模块之间的连接，实现节能待机和安全断电功能。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器电路中，特别是在同步整流或高端开关配置中发挥重要作用。其P沟道特性使其在启动和关断过程中响应迅速，有助于提升转换效率并减少电压跌落。
　　在电池供电系统中，UPV0J391MGD可用于电池反接保护电路，防止因错误安装电池而导致的设备损坏。其快速响应能力和低导通电阻确保在正常工作时几乎不增加额外功耗，而在异常情况下能迅速切断回路。
　　其他应用场景还包括USB电源开关、LED驱动电路、小型电机控制以及各种需要高效、小型化功率开关的嵌入式系统。由于其符合工业级温度范围要求，也可用于工业传感器、IoT节点设备等环境条件较为复杂的场合。凭借其高可靠性与紧凑封装，UPV0J391MGD成为众多设计师在优化电源架构时的优选器件之一。

APM2301PWR, DMP2301UFG, FDMC8878, NTR2P03X