容量：1Gbit
　　接口类型：SPI NAND
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　供电电压：1.65V 至 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　擦写耐久性：10万次
　　数据保持时间：10年

W25N01GWTBIT 是一款高性能、低功耗的串行NAND闪存芯片，具备广泛的应用适应性。其采用SPI（串行外设接口）与主机通信，具有较小的封装尺寸和较低的引脚数量，适合空间受限的设计。该芯片支持高速读写操作，最大时钟频率可达80MHz，提高了数据传输效率。此外，其支持1.65V至3.6V的宽电压范围，增强了系统设计的灵活性。
　　该芯片的存储组织结构为每个页面2KB，每个块128KB，具备10万次擦写寿命和10年数据保持能力，确保了长期可靠的数据存储。芯片内置错误检测和纠正机制，支持ECC（错误校正码）功能，有助于提高数据完整性。
　　在安全性方面，W25N01GWTBIT 提供了多种保护机制，包括软件和硬件写保护，防止意外数据修改或擦除。它还支持一次性可编程（OTP）区域，可用于存储安全密钥或设备识别信息。这使得该芯片在安全要求较高的应用场景中表现出色。

该芯片适用于多种需要大容量非易失性存储的场景，包括工业控制设备、物联网（IoT）设备、网络路由器和交换机、消费电子产品（如数码相机、智能电视）、汽车电子系统、固件存储、数据记录仪等。由于其高可靠性、宽温工作范围和强大的数据保护功能，W25N01GWTBIT 也常被用于恶劣环境下的工业和车载应用。

GD5F1GQ4UCYIG, HYPERFLASH 1GBIT, MX35LF1GE4AD