类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256Kbit（32K x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：12ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：44
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步
　　数据宽度：8位
　　封装尺寸：54mm x 18.4mm x 10mm（具体取决于封装）
　　最大工作频率：约83MHz（基于访问时间计算）
　　功耗：典型值100mA（工作模式），待机模式下电流低于10mA

CXK58267AP-12L具备高速访问能力，访问时间仅为12纳秒，确保了快速的数据读取和写入操作，适合对响应时间要求严格的系统应用。该SRAM芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。其宽电压工作范围（2.3V至3.6V）使其能够适应多种电源设计，提高了系统的兼容性和灵活性。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境下的稳定运行。CXK58267AP-12L采用了TSOP封装，体积小巧且易于集成到PCB板上，同时具备良好的电气性能和抗干扰能力，确保了数据的可靠传输和存储。

CXK58267AP-12L广泛应用于需要高性能、低功耗和宽工作温度范围的电子系统中。常见的应用场景包括工业控制设备、网络路由器和交换机、嵌入式系统、测试与测量仪器以及通信模块。在这些系统中，该SRAM芯片可以作为临时数据存储器、高速缓存或用于缓冲处理中的关键数据，从而提高整体系统的运行效率和响应速度。其高可靠性和稳定性也使其适用于航空航天、汽车电子等对元器件要求极为严苛的行业。

CY62148EAPLL-12ZE3C, IS61LV25616-12B4BLI, IDT71V128L12PFG