容量：1Gb（128MB）
　　接口类型：SPI、Dual SPI、Quad SPI
　　工作电压：1.65V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：WSON8（8引脚WSON）
　　最大时钟频率：104MHz
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　擦写寿命：10万次
　　数据保持时间：10年

W25N01GWSFIT 串行NAND闪存芯片具有多项显著的性能特点。首先，其支持多种SPI接口模式（标准SPI、Dual SPI和Quad SPI），允许用户根据系统需求选择最佳的数据传输方式，从而提高数据传输效率。此外，该芯片的工作电压范围为1.65V至3.6V，具有较强的电压适应性，适合多种电源环境下的应用。
　　在可靠性方面，W25N01GWSFIT 提供高达10万次的擦写寿命和10年的数据保持能力，确保在长时间运行和频繁读写操作中的稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于严苛环境下的设备应用。
　　该芯片采用小型WSON8封装，节省PCB空间，适合对体积要求较高的便携式设备和嵌入式系统。同时，Winbond 提供了完整的软件支持，包括ECC（错误校正码）功能和坏块管理，确保数据存储的完整性与可靠性。

W25N01GWSFIT 主要应用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统，例如物联网（IoT）设备、智能电表、工业控制系统、消费类电子产品（如数码相机、音频播放器）、汽车电子系统以及固件存储模块。由于其支持多种SPI接口模式和宽电压范围，该芯片也非常适合用于需要远程固件更新和高数据吞吐量的应用场景。
　　在工业自动化领域，W25N01GWSFIT 可用于存储配置数据、程序代码和日志信息；在消费电子领域，可作为主控芯片的外部存储器，用于扩展存储容量；在汽车电子系统中，该芯片可用于存储导航数据、车载娱乐系统内容等。
　　另外，该芯片的ECC功能和坏块管理机制使其特别适用于需要高数据完整性和长期稳定运行的应用，如医疗设备、安防监控系统等。

W25N01GVSIQ, W25M02GVZE, GD5F1GQ4UCYIG