制造商：AMD (Advanced Micro Devices)
　　产品系列：Am29F
　　产品型号：AM29F040B-90JC
　　存储容量：4 Mbit (兆位)
　　存储结构：512K × 8 位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：44-TSOP (TSOP-II)
　　引脚数量：44
　　接口类型：并行（地址/数据总线）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除 / 芯片整体擦除
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　读操作电流：典型值 30 mA
　　待机电流：典型值 100 μA
　　编程时间：自动定时编程（典型字节编程时间 12 μs）

AM29F040B-90JC 提供了高性能的读取与可靠的非易失性存储能力，特别适合嵌入式系统中的代码存储需求。其最显著的特性之一是采用了快速页读取架构，允许在连续地址访问时实现接近SRAM的读取速度，从而提升系统性能。该器件支持字节级别的编程操作，每个扇区可以独立进行擦除，共有8个扇区（每个64KB），用户可以选择仅擦除需要更新的部分，而不影响其他数据区域，这提高了擦写效率并延长了器件寿命。此外，芯片内置的自动编程算法能够自动完成字节编程过程，包括施加适当的电压脉冲和时间控制，减轻了外部控制器的负担。
　　另一个关键特性是其强大的数据保护机制。在上电和掉电期间，器件自动进入只读状态，防止误写操作。同时支持软件命令序列锁定（Software Data Protection, SDP），可通过特定指令启用或禁用写入和擦除功能，有效避免因程序跑飞或异常信号引起的意外修改。对于高可靠性要求的应用，该芯片还具备硬件写保护引脚（WP#），当该引脚拉低时，所有编程和擦除操作将被禁止，增强了物理层级的安全性。
　　AM29F040B 具备优异的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次擦写周期，数据可保存长达10年甚至更久。其CMOS工艺设计确保了低功耗运行，尤其在待机模式下电流极低，适合电池供电或节能型系统。此外，该芯片符合工业标准JEDEC封装规范，便于PCB布局和自动化装配。虽然目前主流市场已转向SPI NOR Flash等串行接口方案以节省引脚数和成本，但AM29F040B因其并行接口带来的高吞吐量优势，仍在某些遗留系统、工控主板和BIOS存储应用中继续服役。

AM29F040B-90JC 广泛应用于多种需要可靠非易失性程序存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为计算机主板或嵌入式系统的BIOS（基本输入输出系统）存储器，用于存放开机自检（POST）程序和硬件初始化代码。由于其快速读取能力和稳定性，该芯片也常用于工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数控机床，其中固件需长期保存且频繁读取。
　　在通信领域，AM29F040B 被用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备中，存储启动代码和配置信息。其8位并行接口适合与8051、Z80、68K等经典微控制器或微处理器直接连接，无需额外的协议转换电路，降低了系统复杂度。此外，在打印机、复印机、POS终端等消费类外设中，该芯片用于存储打印驱动程序、菜单界面和设备设置参数。
　　在汽车电子中，尽管高温版本更为常见，但AM29F040B 的商业级版本可用于车内信息娱乐系统的辅助存储模块。科研仪器、测试测量设备也利用其非易失性和抗干扰能力强的特点来保存校准数据和操作程序。虽然现代设计更多采用SPI或QSPI接口的NOR Flash，但在系统升级、维修替换或原型开发中，AM29F040B 仍因其引脚定义清晰、资料丰富、易于调试而被工程师选用。

SST39SF040-70-4I-PHE
　　MBM29F040-90PFVNE1
　　EON EN29F040A-90TJC