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W25N01GV 发布时间 时间:2025/8/21 5:44:40 查看 阅读:7

W25N01GV 是由 Winbond 公司生产的一款串行NAND闪存芯片,容量为1Gbit(128MB)。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,适用于需要高密度、低成本、低功耗存储方案的应用场景。W25N01GV 支持页读取、页写入和块擦除操作,并具备高可靠性和较长的使用寿命,适合用于嵌入式系统、固件存储、数据记录设备等。

参数

容量:1Gbit(128MB)
  接口:SPI(最大频率可达80MHz)
  电压范围:2.3V至3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  页面大小:2KB
  块大小:128KB(64页/块)
  擦写次数:10万次
  数据保持时间:10年
  封装形式:TSOP(8引脚)或WSON(8引脚)

特性

W25N01GV 提供了丰富的功能以支持高性能数据存储。它支持高速SPI接口,数据传输速率可高达80MHz,适用于对读写速度有一定要求的系统。该芯片具备ECC(错误校正码)功能,在读取数据时可以检测并纠正单比特错误,提高数据完整性。同时,W25N01GV 内部集成了一个状态寄存器,用户可以通过该寄存器监控操作状态,例如写保护、忙状态等。
  此外,W25N01GV 还具备灵活的块保护机制,允许用户对特定区域进行写保护,防止关键数据被意外修改或擦除。该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,有助于降低系统功耗,延长设备续航时间。
  在可靠性方面,W25N01GV 的擦写寿命高达10万次,数据保存时间可达10年,适合长期使用的嵌入式设备。其具备宽温度工作范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级环境。

应用

W25N01GV 广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,如路由器、交换机、安防摄像头、工业控制器、智能电表等设备。此外,该芯片也常用于存储固件、引导代码、配置文件和用户数据等,尤其是在对空间和成本敏感的应用中表现优异。
  由于其高可靠性、低功耗和宽温度特性,W25N01GV 也适合用于车载电子系统、医疗设备和物联网(IoT)设备中。在一些需要数据记录和日志存储的系统中,如数据采集器和远程监控设备,该芯片也能提供稳定的存储支持。

替代型号

W25N01GVZEIG(Winbond)
  GD5F1GQ4UCYIG(GigaDevice)
  MT29F1G01ABBB(Micron)
  TC58CVG2S0E(Toshiba)

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