LZPF7N65 时间：2025/9/5 12:10:33 阅读：26

LZPF7N65是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性，适用于电源转换、马达控制和功率放大器等场合。LZPF7N65采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。这款MOSFET具有较高的可靠性和耐用性，广泛应用于工业设备、消费电子产品和汽车电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

LZPF7N65 MOSFET采用了先进的平面工艺，具备优异的电气性能和稳定性。其高耐压特性使其能够承受高达650V的漏源电压，适用于各种高电压环境下的功率控制需求。该器件的导通电阻较低，最大为1.2Ω，这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。此外，LZPF7N65的封装设计提供了良好的散热性能，使其能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　LZPF7N65还具有出色的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在极端工作条件下保持可靠性。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种控制器和驱动电路配合使用。同时，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。LZPF7N65的高可靠性和耐用性使其成为工业自动化、电源管理和汽车电子系统中的理想选择。

应用

LZPF7N65广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源转换器、直流-直流变换器、不间断电源(UPS)、马达驱动器和LED照明系统。其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源和功率放大器设计。此外，LZPF7N65也可用于工业自动化设备中的马达控制电路，提供高效的功率管理解决方案。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载娱乐设备的电源管理模块。LZPF7N65的高可靠性和良好的热性能使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。