时间：2025/11/3 15:40:55
阅读：53
W210H是一款由WinOne（华微半导体）生产的高压MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED驱动电路以及电机控制等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压工作条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。W210H的额定电压为100V，适用于中等功率级别的应用场合，其封装形式通常为TO-252（DPAK），具有良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上进行表面贴装或通过散热片增强散热能力。作为一款N沟道增强型MOSFET，W210H在栅源电压（VGS）达到一定阈值后即可导通，控制漏极电流的流动，适合用于高频开关操作。由于其较高的可靠性与性价比，W210H被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备及通信电源模块中。
型号：W210H
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：10A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：40A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS = 10V, ID = 5A
导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 5A
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V @ ID = 250μA
输入电容（Ciss）：1680pF @ VDS = 50V
输出电容（Coss）：480pF @ VDS = 50V
反向恢复时间（trr）：38ns
最大功耗（PD）：125W @ TC = 25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
W210H具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在中高功率开关应用中表现出色。首先，该器件的典型导通电阻仅为8.5mΩ（在VGS=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的转换效率。同时，由于采用了优化的晶圆设计和封装工艺，其热阻较低，能够将内部产生的热量迅速传导至外部散热环境，确保长时间运行的可靠性。其次，W210H具有良好的开关特性，输入电容和输出电容均处于合理范围，有助于减少驱动电路的负担，并支持较高的开关频率操作，适用于现代高频化电源设计趋势。
此外，该MOSFET的栅极耐压可达±20V，提供了足够的驱动裕度，避免因瞬态过压导致器件损坏。其阈值电压范围为2.0V至3.0V，兼容多数常见的PWM控制器输出电平，尤其适合使用3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。W210H还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，在突发短路或负载突变情况下仍能保持稳定运行。TO-252封装不仅节省空间，而且引脚布局符合标准规范，便于自动化生产焊接。综合来看，W210H在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是众多电源工程师在设计100V级功率电路时的优选方案之一。
W210H广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能、高可靠性的直流电源变换场合。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器、PC电源等，其中作为主开关管或同步整流管使用；DC-DC降压/升压转换器，特别是在车载电子、工业电源和嵌入式系统中，用于实现电压调节与能量传输；LED恒流驱动电源，利用其快速开关特性和低导通损耗来提高光效并降低发热；电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动模块，可提供高效的电流控制能力；此外，还可用于逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路等。得益于其TO-252封装的小体积与良好散热性能，W210H也适合对空间有严格要求的紧凑型设备设计。无论是消费类电子产品还是工业级装置，只要涉及100V以下的功率开关需求，W210H都能提供稳定可靠的解决方案。
IRF1010E
STP10NK10ZFP
FQP10N10
FGP10N10
