W20NM60 时间：2025/7/23 9:23:54 阅读：7

W20NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机驱动、LED照明以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：19A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.22Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK、TO-247

特性

W20NM60具备优异的导通性能和开关性能，采用先进的平面条纹和高密度沟槽技术，使得器件在高压下仍能保持较低的导通损耗。其内部结构优化设计减少了寄生电容，提高了高频开关效率。此外，W20NM60具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。该器件还具备较强的雪崩能量承受能力，提升了在极端条件下的耐用性。栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平，便于设计和集成。
　　在封装方面，W20NM60提供多种选择，包括TO-220、D2PAK和TO-247，适应不同的散热需求和PCB布局要求。其封装材料符合RoHS标准，支持绿色环保设计。

应用

W20NM60广泛应用于各种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、照明驱动器（如HID和LED）以及工业电机控制电路。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。此外，W20NM60也适用于高功率LED照明系统和光伏逆变器等新能源应用。