类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：在 IC=2mA 时为 110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

BUV62A 晶体管具备多项显著的性能特点，适用于高频和低噪声放大电路的设计。首先，其过渡频率（fT）高达 250MHz，使得该晶体管能够在高频条件下保持良好的增益性能，适合用于射频放大器、振荡器等高频电路。
　　其次，BUV62A 的电流增益（hFE）范围宽广，从110到800，具体数值取决于等级划分，这种高增益特性使其在信号放大和开关电路中表现优异。此外，晶体管的集电极电流额定值为100mA，功率耗散为300mW，确保其在中等功率应用中稳定工作。
　　在电压方面，BUV62A 具有较高的集电极-基极击穿电压（VCBO）为50V，集电极-发射极击穿电压（VCEO）为30V，使其在较高电压条件下仍能可靠运行。该晶体管的发射极-基极击穿电压为5V，适合用于低电压控制电路。
　　封装方面，BUV62A 通常采用 TO-126 标准封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种 PCB 设计和工业应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的热稳定性和环境适应性。
　　综合来看，BUV62A 是一款性能优良的高频 NPN 晶体管，广泛应用于射频放大器、模拟开关、低噪声放大器以及工业控制电路等领域。

BUV62A 主要应用于以下几类电子电路和系统：
　　1. 射频（RF）放大器：由于其高过渡频率（fT=250MHz），BUV62A 适用于射频信号放大器的设计，特别是在低噪声前置放大器中表现出色。
　　2. 模拟开关和放大电路：该晶体管的高电流增益和良好的线性特性使其适用于模拟信号放大和开关控制电路。
　　3. 高频振荡器：BUV62A 可用于构建高频振荡器，提供稳定的高频信号源。
　　4. 工业控制系统：在需要高频响应和高稳定性的工业控制电路中，BUV62A 可作为核心放大和开关元件。
　　5. 通信设备：该晶体管广泛应用于无线通信设备、接收机和发射机模块中，用于信号处理和放大任务。

BCW61, BFR181, BFQ59, BFG21, 2N3904