W11NK100Z 时间：2025/7/23 15:02:08 阅读：6

W11NK100Z 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件主要用于高功率应用，例如电源转换、电机控制、逆变器和充电器等。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的效率，能够在高温和高电流环境下稳定运行。其封装形式为TO-220，适合安装在标准的散热器上，以提高散热性能。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：11A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.075Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：29nC（典型值）

特性

W11NK100Z 具备一系列优秀的电气和热性能，适用于多种高功率应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持可靠运行。MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关应用。TO-220封装提供了良好的散热能力，同时便于安装和更换。该器件还具备较高的耐用性和抗干扰能力，适合在恶劣的工业环境中使用。
　　W11NK100Z 还具有良好的短路耐受能力，能够承受瞬时过载，提高了系统的稳定性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，方便与各种驱动电路兼容。由于其高性能和可靠性，W11NK100Z广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等领域。

应用

W11NK100Z 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关或同步整流器，以提高电源转换效率。在电机驱动器中，它可以用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。此外，该器件还适用于太阳能逆变器、电动车充电器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和高电流能力，W11NK100Z 也非常适合用于高频开关应用和需要高可靠性的场合。