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W10M 发布时间 时间:2025/9/2 11:31:51 查看 阅读:17

W10M 是一款由 Winbond Electronics 生产的 SPI NOR 闪存芯片,属于其高性能、低功耗存储器产品线的一部分。该芯片通常用于嵌入式系统、消费电子、工业控制设备和网络设备中,用于存储代码、固件和关键数据。W10M 支持标准、双线和四线 SPI 接口,具备快速读取能力,适用于需要可靠性和高性能的存储应用。

参数

容量:128Mbit
  接口类型:SPI (支持单线、双线和四线模式)
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:SOP8、DFN8
  最大读取频率:80MHz
  页面大小:256 字节
  扇区大小:4KB、64KB
  擦写周期:100,000 次
  数据保存时间:20 年

特性

W10M 具备多种高性能存储特性,包括快速读取访问速度、低功耗设计以及多种擦写保护机制。该芯片支持高速 SPI 模式,提供高达 80MHz 的时钟频率,使得数据传输速率大幅提升,适用于实时系统和高性能嵌入式应用。其 128Mbit 的存储容量适合存储较大体积的固件或数据。W10M 还具备硬件和软件写保护功能,确保关键数据不会被意外修改或擦除。此外,该芯片支持 JEDEC 标准 ID 读取,便于系统识别和兼容性管理。其耐用性达到 100,000 次擦写周期,数据可保存长达 20 年,适用于工业级和高可靠性应用场景。

应用

W10M 主要应用于嵌入式系统、物联网设备、智能家电、工业自动化控制器、网络路由器、固件存储模块以及各类消费类电子产品中。其高速访问和低功耗特性使其非常适合用于需要频繁读取和偶尔写入的应用场景,例如启动代码存储(Boot Code)、配置信息保存和固件更新。此外,由于其支持工业级温度范围,因此也可用于户外设备和恶劣环境下的控制系统。

替代型号

W25Q128JV, MX25L12835F, S25FL128S

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W10M参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 峰值反向电压1000 V
  • 最大 RMS 反向电压700 V
  • 正向连续电流1.5 A
  • 最大浪涌电流50 A
  • 正向电压下降1 V
  • 最大反向漏泄电流10 uA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体WOM
  • 封装Bulk
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量500