时间：2025/5/8 19:32:09
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IKW15N120T2是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-247封装形式，适用于高电压、大功率的应用场景。其最大耐压为1200V，持续漏极电流为15A，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于硬开关和软开关拓扑结构的电力电子应用。
该芯片广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及电动汽车等领域。
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：15A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（典型值，在Vgs=15V时）：1.3Ω
总功耗：260W
结温范围：-55℃至+175℃
开关速度：快速恢复
封装形式：TO-247
IKW15N120T2是一款专为高压应用设计的MOSFET，具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：其1200V的额定漏源电压使其能够承受高电压环境，适用于各种工业级和新能源领域的应用场景。
2. 快速开关性能：由于采用了先进的硅技术，该器件在高频工作条件下表现出卓越的开关效率和较低的能量损耗。
3. 低导通电阻：在15V的栅极驱动电压下，其导通电阻仅为1.3Ω，从而降低了传导损耗并提高了整体系统效率。
4. 热稳定性：该器件能够在高达175℃的结温下稳定运行，这使其非常适用于高温环境中的应用。
5. 封装可靠性：TO-247封装提供了良好的散热特性和机械强度，确保了器件在恶劣条件下的长期可靠性。
IKW15N120T2适用于多种高电压和大功率的应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 工业电源：用于开关电源、直流-直流转换器等。
2. 太阳能逆变器：在光伏系统中用作功率开关，实现高效的能量转换。
3. 不间断电源（UPS）：提供可靠的备用电源解决方案。
4. 电机驱动：控制大功率电机的运行状态。
5. 电动汽车：用于车载充电器、DC/DC变换器以及牵引逆变器等关键部件。
6. 照明系统：如高强度气体放电灯（HID）和LED路灯的驱动电路。
IKW15N120T2L, IKW15N120E2
