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W04M 发布时间 时间:2025/5/12 12:15:16 查看 阅读:6

W04M是一种高性能的霍尔效应锁存器传感器芯片,能够感应磁场的变化并输出数字信号。它基于CMOS技术制造,具有低功耗和高稳定性的特点。该芯片广泛应用于速度检测、位置传感、电机控制等领域,适用于各种工业和消费类电子产品。
  W04M内置温度补偿电路,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。其响应速度快,适合动态磁场检测应用。

参数

供电电压:2.8V~5.5V
  工作温度范围:-40℃~150℃
  输出类型:开漏极输出
  灵敏度:35 Gauss(典型值)
  释放点:20 Gauss(典型值)
  响应时间:<1μs
  电源电流:最大10mA

特性

W04M采用了先进的霍尔效应传感技术,具备以下主要特性:
  1. 高灵敏度:对弱磁场有较强的感知能力,确保在复杂环境中实现精准检测。
  2. 低功耗设计:在待机模式下消耗极少的电能,非常适合电池供电设备。
  3. 宽工作电压范围:支持2.8V到5.5V的输入电压,兼容多种电源系统。
  4. 耐高温性能:能够在极端温度条件下正常运行,满足工业环境需求。
  5. 快速响应时间:小于1微秒的延迟时间,可实时捕捉快速变化的磁场。
  6. 温度补偿:内置补偿电路,减少因温度波动引起的误差。

应用

W04M芯片被广泛应用于各类需要非接触式磁性检测的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 汽车电子:用于轮速传感器、ABS系统和引擎控制单元等。
  2. 工业自动化:如接近开关、旋转编码器和液位传感器。
  3. 消费类电子:手机翻盖检测、键盘按键触发以及家用电器的位置感应。
  4. 医疗设备:监测运动部件的位置或速度信息。
  5. 电机控制:无刷直流电机的换向和转速监控。

替代型号

US5881LUA, DTS170T

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W04M参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 峰值反向电压400 V
  • 最大 RMS 反向电压280 V
  • 正向连续电流1.5 A
  • 最大浪涌电流50 A
  • 正向电压下降1 V
  • 最大反向漏泄电流10 uA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体WOM
  • 封装Bulk
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量500