时间：2025/5/13 15:22:13
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VZH101M1ATR-0606 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率并降低功耗。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
型号：VZH101M1ATR-0606
类型：N沟道增强型MOSFET
电压等级：30V
最大导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
连续漏极电流（Id）：120A
栅极电荷（Qg）：35nC
总电容（Ciss）：3000pF
封装形式：DFN8 0.6x0.6mm
工作温度范围：-55°C至+175°C
VZH101M1ATR-0606 具有非常低的导通电阻，可减少功率损耗，并支持高频率操作。此外，该器件采用无铅、符合RoHS标准的封装技术，确保环保合规性。
由于其紧凑的封装尺寸和出色的电气性能，这款MOSFET非常适合于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器以及同步整流电路等应用。同时，其强大的过流能力使得它在大功率密度设计中表现出色。
还集成了ESD保护功能，提高了系统的稳定性和可靠性。
该器件广泛用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中，典型应用包括：
1. 手机和平板电脑的电池充电管理模块。
2. 笔记本电脑适配器内的同步整流电路。
3. 高效DC-DC转换器的核心开关元件。
4. 多种类型的负载切换电路。
VZH101M1ATR-0606凭借其卓越的电气性能和紧凑的外形，成为现代电力电子设计的理想选择。
VNH101M1ATR-0606
VZH102M1ATR-0606
