产品型号：VY22549-3
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20 V
　　最大连续漏极电流(ID) @ 25°C：5.8 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：23 A
　　最大栅源电压(VGS)：±12 V
　　阈值电压(VGS(th))：0.65 V ~ 0.9 V
　　漏源导通电阻(RDS(on)) @ 4.5V VGS：22 mΩ
　　漏源导通电阻(RDS(on)) @ 2.5V VGS：30 mΩ
　　漏源导通电阻(RDS(on)) @ 1.8V VGS：50 mΩ
　　输入电容(Ciss)：390 pF @ 10V VDS
　　输出电容(Coss)：180 pF @ 10V VDS
　　反向传输电容(Crss)：50 pF @ 10V VDS
　　栅极电荷(Qg) @ 4.5V VGS：5.5 nC
　　开启延迟时间(td(on))：5 ns
　　关断延迟时间(td(off))：10 ns
　　上升时间(tr)：7 ns
　　下降时间(tf)：5 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70
　　安装方式：表面贴装

VY22549-3采用了Vishay专有的TrenchFET?沟道工艺技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时提升了单位面积下的电流承载能力。该MOSFET在低栅极驱动电压下仍能保持优异的导通性能，例如在1.8V VGS时RDS(on)仅为50mΩ，这使得它非常适合用于由锂电池供电的低压逻辑控制电路中，如智能手机、平板电脑和其他移动设备中的电源开关应用。其极低的栅极电荷（Qg = 5.5nC @ 4.5V）有效减少了开关过程中的驱动损耗，从而提高了整体系统的能效并降低了发热。
　　该器件的封装形式为PowerPAK SC-70，这是一种超小型表面贴装封装，占用PCB面积极小，有助于实现高密度布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的设计需求。尽管封装尺寸紧凑，但其热性能经过优化，能够通过PCB有效散热，确保在高负载条件下的可靠性。此外，VY22549-3具有较低的输入、输出和反向传输电容，这不仅有助于减少高频开关噪声，还能提升开关速度，降低开关损耗，特别适用于高频DC-DC转换器拓扑结构。
　　另一个关键优势是其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了系统鲁棒性。所有这些特性共同作用，使VY22549-3成为高性能、小尺寸电源管理解决方案中的优选器件。

VY22549-3广泛应用于各种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，如手机、智能手表、无线耳机等设备的电源路径控制，用于实现电池与不同功能模块之间的连接与隔离，以降低待机功耗并提高能源利用率。此外，它也常被用作同步整流器或主开关元件在低压DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，尤其是在输入电压低于5V的应用场合。
　　在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于过流保护、充放电控制和电池切换等功能，凭借其低RDS(on)特性可减少能量损耗并延长电池续航时间。它还适用于USB供电电路、电源多路复用器、热插拔控制器以及各类嵌入式控制系统中的电机驱动或继电器驱动接口。由于其快速开关能力和良好的热稳定性，VY22549-3也可用于LED背光驱动和小型电源适配器中作为高效的功率调节元件。总之，任何需要在有限空间内实现高效率功率控制的应用都可以考虑使用该器件。

Si2302DDS-T1-GE3,VN2222L,Si2323DS