VWI35-06P1 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率、高功率密度的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于汽车电子、电源管理和工业控制等领域。VWI35-06P1 采用紧凑的PowerPAK封装形式,有助于减少PCB空间占用,同时提供良好的散热能力。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):最大8.5mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:PowerPAK SO-8双侧散热
VWI35-06P1 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,使得在相同的封装尺寸下实现更高的电流承载能力。此外,该MOSFET具备高耐压能力,最大漏源电压为60V,适合用于中高功率应用。
VWI35-06P1 还具有良好的热管理能力,其PowerPAK封装设计支持双侧散热,有效降低工作温度,提高长期可靠性。其栅极结构可承受高达±20V的栅源电压,增强了在高频开关应用中的稳定性和耐用性。
此外,该MOSFET具有快速开关特性,能够适应高频率的开关操作,从而减少开关损耗。这对于DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用尤为重要。VWI35-06P1 还具备较高的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。
VWI35-06P1 主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。例如,在汽车电子领域中,它被广泛用于车载充电系统、电动助力转向系统以及电池管理系统(BMS)。由于其低导通电阻和良好的热管理能力,该器件也非常适合用于DC-DC转换器和同步整流器中,以提高整体转换效率。
在工业自动化和电机控制领域,VWI35-06P1 可作为高边或低边开关,用于驱动直流电机、继电器和电磁阀等负载。此外,其优异的开关性能也使其适用于高频逆变器、功率因数校正(PFC)电路以及各类电源供应器中。
由于其高耐压能力和优异的抗干扰能力,VWI35-06P1 也常用于工业自动化控制系统的功率开关模块中,如PLC(可编程逻辑控制器)输出模块和智能功率插座等。
SiSS68DN, IRF7484, Nexperia PSMN2R0-60YL