时间：2025/8/5 13:57:16
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VVZB135-16N01 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。这种MOSFET常用于电源管理、电机控制、负载开关、电池供电设备等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：160V
连续漏极电流（ID）：35A
导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至4.0V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220或类似功率封装
功率耗散（PD）：150W
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
VVZB135-16N01 的核心优势在于其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度应用。其沟槽式MOSFET结构不仅提高了导通性能，还优化了热管理能力，确保器件在高负荷下仍能稳定工作。
这款MOSFET的封装设计有利于散热，适合直接安装在散热片上，以提高热传导效率。其较高的击穿电压（160V）使其适用于多种高压应用，如DC-DC转换器、电动工具、电动车控制系统等。
VVZB135-16N01 还具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高电路的响应速度。这使其在高频开关应用中表现出色，例如在开关电源（SMPS）和逆变器系统中。同时，其良好的热稳定性也降低了过热风险，提高了设备的可靠性和寿命。
该器件广泛应用于工业自动化、电源管理系统、电动工具、电动车控制器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器和高功率电池管理系统等场景。由于其高耐压和大电流能力，VVZB135-16N01 在需要高效能功率控制的系统中具有重要地位。
TK15A50D, IRF1405, SiHF1405, FDP1405
