时间：2025/10/6 20:29:34
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UPV1H3R3MFD是一款由松下（Panasonic）公司生产的高性能多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于其知名的ECPU系列，专为高可靠性、高稳定性和低等效串联电阻（ESR）的应用而设计。UPV1H3R3MFD具有小尺寸封装，通常采用0805（2012公制）外形尺寸，适用于现代电子产品中对空间要求极为严格的场合。这款电容器的额定电压为50V DC，标称电容值为3.3μF，电容容差为±20%，使用X5R型介电材料，确保在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持稳定的电性能。由于采用了先进的叠层制造工艺，该器件具备优异的机械强度和抗热冲击能力，适合回流焊和波峰焊等多种表面贴装技术。UPV1H3R3MFD广泛应用于电源去耦、滤波电路、DC-DC转换器输出平滑、便携式电子设备以及工业控制模块中。
产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容值：3.3μF
容差：±20%
额定电压：50V DC
介电材料：X5R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +85°C)
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
长度：2.0mm
宽度：1.25mm
高度：约1.2mm
端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
绝缘电阻：≥4000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F（取较大值）
最大耗散因数（DF）：≤3.5% @ 1kHz
等效串联电阻（ESR）：典型值低于20mΩ @ 100kHz
使用寿命：在额定电压和+85°C环境下可连续工作1000小时以上，电容变化小于初始值的15%
耐焊接热性：符合IEC 61249-2-21标准，可承受多次回流焊循环
UPV1H3R3MFD采用松下先进的介电层薄化与高密度堆叠技术，实现了在0805小型封装内集成高达3.3μF的电容容量，显著提升了单位体积的能量存储密度。其使用的X5R型陶瓷介质具有良好的温度稳定性，在-55°C到+85°C的宽温范围内，电容值的变化不超过±15%，远优于通用型Z5U或Y5V材料，适用于需要长期稳定运行的精密模拟和数字系统。该电容器的低等效串联电阻（ESR）特性使其在高频去耦和纹波电流吸收方面表现优异，特别适合用于开关电源的输入输出滤波环节，有效降低电压波动并抑制电磁干扰。此外，其低损耗因子（DF）进一步减少了在高频工作下的自发热问题，提高了系统的整体能效。
该器件具备出色的机械鲁棒性，经过优化的内部电极结构和端子设计能够有效缓解因PCB弯曲或热膨胀差异引起的应力，从而大幅降低陶瓷开裂的风险，提升产品在恶劣环境下的可靠性。其端电极为三层电极结构（铜-镍-锡），提供良好的可焊性和长期连接稳定性，兼容无铅回流焊工艺，并符合RoHS环保指令要求。UPV1H3R3MFD还通过了AEC-Q200等车规级可靠性认证，可用于汽车电子中的辅助电源模块、传感器供电单元等场景。得益于松下严格的质量控制体系和自动化生产流程，该电容器在批次一致性、寿命稳定性和湿度抵抗能力方面均表现出色，是高可靠性工业、通信和消费类电子产品中的理想选择。
UPV1H3R3MFD广泛应用于各类需要高电容密度、良好温度稳定性和低ESR特性的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元去耦电容，用于稳定DC-DC转换器输出电压并滤除高频噪声。在通信设备中，它常被用作射频模块和基带处理器的旁路电容，以确保信号完整性。工业控制系统中的PLC模块、传感器接口和人机界面设备也大量采用该型号进行电源滤波和瞬态抑制。此外，由于其符合AEC-Q200标准，UPV1H3R3MFD还可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS辅助驾驶系统的电源轨滤波。在医疗电子设备中，其高可靠性和长期稳定性使其适用于便携式监护仪、血糖仪等对安全性要求较高的产品。数据中心服务器和网络交换机的主板电源分布网络（PDN）中，该电容器常与其他MLCC并联使用，构成低阻抗储能网络，有效应对负载突变带来的电压跌落问题。
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"GRM21BR71H335KA88L",
"C2012X5R1H335K",
"CL21B335KBANNNC",
"EMK212BJ335MG-T"
]
