类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：80V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

VUO86-08N07 MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件能够承受高达80A的连续漏极电流，使其适合高功率应用。其80V的最大漏极-源极电压额定值允许其在广泛的电压范围内工作，而不影响性能或可靠性。该MOSFET还具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其TO-263（D2PAK）封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，便于在现代电路板设计中使用。此外，VUO86-08N07的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，这对于高频应用尤为重要。该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在意外过压或负载突变的情况下提供额外的保护。最后，由于其N沟道增强型结构，该MOSFET在栅极电压控制下可以实现高效的导通和关断操作，适用于多种电源管理任务。

VUO86-08N07 MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。常见用途包括电源供应器中的开关元件、DC-DC转换器中的主功率开关、电动车辆和工业设备中的电机驱动电路、以及作为负载开关用于管理高电流负载。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和各种高功率LED照明系统。由于其优异的热性能和高电流能力，VUO86-08N07也适用于需要长时间高负载运行的工业控制和自动化设备。

VUO86-08N07的替代型号包括IRF1405、IRF1405PBF、SiR882DP、FDMS8878、SiR882DDK、IPD94N3L08、FDMS8870、FDMS8878、FDP8878、FDS8878、SiR882DDK、SiR882DP