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CDR31BP510BJZMAT 发布时间 时间:2025/5/23 15:14:55 查看 阅读:14

CDR31BP510BJZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  其封装形式为 TO-220,适合在高电流和高电压环境下工作。通过优化的芯片设计,CDR31BP510BJZMAT 能够提供高效的电力转换,并具备良好的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:500V
  最大连续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):0.5Ω
  栅极电荷:35nC
  总功耗:100W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装:TO-220

特性

CDR31BP510BJZMAT 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压达 500V,适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻(典型值为 0.5Ω),能够减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关特性,栅极电荷仅为 35nC,可实现高频开关操作。
  4. 热稳定性强,支持高达 150℃ 的结温,适合高温工作条件。
  5. 封装坚固耐用,采用 TO-220 封装形式,便于散热和安装。
  6. 可靠性高,经过严格的测试和验证,确保长期使用的稳定性。
  这些特性使得 CDR31BP510BJZMAT 成为许多工业和消费电子应用的理想选择。

应用

CDR31BP510BJZMAT 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,适用于家用电器和工业设备中的电机控制。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 电池充电器和管理系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其优异的电气性能和可靠性,该器件特别适合需要高效率和高稳定性的应用场景。

替代型号

IRF840A, STP10NK50Z

CDR31BP510BJZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容51 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-