类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：8A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　频率响应（fT）：200MHz
　　封装类型：TO-247
　　增益（hFE）：典型值为40-160（取决于电流）

VUO82-02N07晶体管具有多项关键特性，使其适用于高功率和高频应用场景。其NPN结构提供了优异的电流放大能力，能够支持高达8A的集电极电流，适合需要高输出功率的设计。此外，晶体管的最高工作频率达到200MHz，使其在射频放大和高速开关电路中表现优异。
　　该器件采用了TO-247封装形式，这种封装不仅具备良好的散热性能，还能有效降低热阻，提升整体可靠性，延长器件的使用寿命。TO-247封装还支持较大的引脚间距，适用于需要高电压隔离的应用场景。
　　VUO82-02N07的hFE（电流增益）在不同工作电流下保持稳定，典型值范围为40至160，这使得设计人员可以灵活调整电路参数以满足不同应用需求。同时，该晶体管的最大功耗为50W，支持在较高温度环境下稳定工作，进一步提升了其在工业级应用中的适应性。
　　另外，VUO82-02N07在设计上优化了热管理和电性能，使其能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气特性，适合用于高可靠性要求的电源、放大器和工业控制电路。

VUO82-02N07广泛应用于多个高功率电子系统中。其高频性能使其成为射频放大器、无线通信设备和广播发射器中的理想选择。在工业控制领域，该晶体管可用于电机驱动、电源管理和自动化系统中的高功率开关电路。
　　此外，该晶体管还适用于音频功率放大器的设计，特别是在需要高保真和大输出功率的音响系统中。由于其良好的热稳定性和高电流承载能力，VUO82-02N07也常用于不间断电源（UPS）系统、开关电源（SMPS）和电池充电器等电源转换设备中。
　　在射频应用中，VUO82-02N07能够作为高频放大级，支持从几十MHz到几百MHz范围内的信号放大，适用于各种通信基站、无线接入点和工业测量设备。其封装设计也使其适用于需要高散热效率的模块化设计，便于在复杂电路中实现高效集成。

BUV48A, MJ15024G, 2N6259