VUO50-16N07 时间：2025/8/6 2:50:56 阅读：25

VUO50-16N07 是一款由Vishay Semiconductors制造的功率MOSFET模块，主要用于高功率和高频率的应用场景。这款MOSFET模块采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和卓越的开关性能，适合用于电源转换、电机控制、工业自动化等高要求的电子系统中。其封装设计支持高散热效率，能够有效降低运行时的温度上升。

参数

类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：160V
　　导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）模块封装

特性

VUO50-16N07 具有多种显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（7mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该模块采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
　　在热管理方面，VUO50-16N07的模块封装设计优化了散热路径，确保在高电流负载下仍能保持稳定的温度表现。这种高散热效率的设计延长了器件的使用寿命，并提高了系统的可靠性。
　　该器件的高栅极电荷（Qg）特性在一定程度上提高了其在高频应用中的适用性，同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境条件下正常工作。这些特性使得VUO50-16N07成为许多高功率工业和汽车应用的理想选择。

应用

VUO50-16N07 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、电动车充电系统、太阳能逆变器、工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统。
　　在开关电源中，该模块的低导通电阻和高效开关特性有助于提高电源转换效率并减少热量产生，从而提升整体系统性能。在电机控制领域，VUO50-16N07的高电流处理能力和快速开关特性使其能够支持精确的电机控制策略，提升设备响应速度和能效。
　　此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该器件的高可靠性和宽工作温度范围保证了其在恶劣环境下的稳定运行。因此，VUO50-16N07广泛用于需要高可靠性、高效率和高功率密度的电力电子系统中。