时间：2025/7/8 23:05:51
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NVTR4503NT1G 是一款来自安森美（ON Semiconductor）的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及其他功率转换和管理应用中。
这款 MOSFET 使用了先进的 Trench 技术制造，确保了其在高效率和高性能方面的表现。此外，NVTR4503NT1G 采用节省空间的小型 SOT23 封装，非常适合需要紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：3nC（典型值）
总电容：290pF（输入电容 Ciss 典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
NVTR4503NT1G 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
MOSFET 的逻辑电平驱动兼容性使得它可以直接由微控制器或数字信号处理器等输出驱动，而无需额外的驱动电路。
由于采用了小型 SOT23 封装，这款器件非常适合便携式设备和其他空间受限的应用。
同时，它的高雪崩能力和稳健的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
另外，快速开关速度降低了开关损耗，从而提升了转换效率。
NVTR4503NT1G 广泛应用于各种功率转换和管理领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS) 中的高频开关
- 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代
- 电池供电设备中的负载开关
- DC-DC 转换器中的功率开关
- 电机驱动和 LED 驱动电路中的功率控制
- 通信设备中的功率管理模块
NTMS4102N, BSS138, AO3400
