时间：2025/8/24 10:59:42
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FQD1N80C是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等领域。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压、快速开关速度等优点。FQD1N80C封装形式为TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，便于散热和安装。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vdss)：800V
最大栅极电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：1.2A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：2.0Ω @ Vgs=10V
漏极-源极击穿电压：800V
栅极电荷(Qg)：17nC
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：TO-252（DPAK）
FQD1N80C功率MOSFET采用先进的平面硅工艺制造，具备优异的电气性能和可靠性。其主要特性包括高耐压能力，漏极-源极额定电压高达800V，适用于高电压开关应用。该器件具有较低的导通电阻，在Vgs=10V时典型值为2.0Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。栅极电荷较小，仅为17nC，使其具备较快的开关速度，适用于高频开关电路。此外，FQD1N80C具有良好的热稳定性和过载能力，可在较宽的温度范围内稳定工作，其工作温度范围为-55℃至+150℃。TO-252（DPAK）封装形式提供了良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了PCB布局与制造流程。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
FQD1N80C主要用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、逆变器以及电池管理系统等。其高耐压特性使其在高压电源转换应用中表现出色，例如在PFC（功率因数校正）电路中作为开关元件使用。此外，FQD1N80C也常用于工业控制、家电电机驱动、光伏逆变器以及新能源汽车电子系统中。
FQA1N80C, FQP1N80C, IRF840, FQPF1N80C
