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VUO28-08N07 发布时间 时间:2025/8/5 22:16:52 查看 阅读:32

VUO28-08N07 是由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的一款高电压、高电流、双极型晶体管(BJT)功率晶体管。该器件设计用于高频开关和放大应用,特别适用于要求高稳定性和高可靠性的工业和军事领域。VUO28-08N07采用TO-247封装,能够提供优异的热管理和电气性能,适合在高功率密度的环境中使用。

参数

类型:NPN型功率晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):800V
  最大集电极电流(IC):28A
  最大功耗(PD):300W
  增益带宽积(fT):5MHz
  直流电流增益(hFE):50-150
  封装形式:TO-247

特性

VUO28-08N07 具有多个关键特性,使其在功率晶体管领域表现出色。首先,其高电压耐受能力(800V VCEO)使其适用于高电压开关和放大电路,能够承受较高的电压应力。其次,最大集电极电流为28A,使得该晶体管能够驱动较大的负载,适用于高功率应用。
  此外,该器件的最大功耗为300W,具备良好的热管理能力,可在高温环境下稳定运行。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热器上,进一步提升器件的热效率。
  该晶体管具有5MHz的增益带宽积,适用于高频开关和放大应用,同时其直流电流增益(hFE)范围为50至150,提供良好的电流放大能力,确保电路的稳定性和效率。
  VUO28-08N07还具备良好的短路和过载保护能力,增强了其在严苛环境下的可靠性。这种高可靠性使其适用于航空航天、国防、工业控制和电力电子等领域。

应用

VUO28-08N07 主要应用于需要高电压、高电流处理能力的场合。典型应用包括高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备以及测试与测量仪器。由于其高可靠性和良好的热性能,该晶体管也常用于军事和航空航天领域的电源系统和功率控制模块。
  此外,VUO28-08N07还可用于音频放大器和射频(RF)放大器设计中,提供高质量的信号放大能力,适用于专业音频设备和通信系统。

替代型号

VUO28-08N07可以被以下型号替代:VUO28-08N07S、VUO28-08N12、BUW52D、MJ15024G

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