时间：2025/8/5 17:25:17
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VUO25-06N07是一款由Vishay Semiconductors（威世科技）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，适用于高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优良的热性能，适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块以及各种高功率密度应用。
类型：MOSFET
结构：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：最大6.7mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
VUO25-06N07具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在有限的空间内实现更高的电流承载能力。此外，其高栅极电压容限（±20V）提高了器件在各种开关应用中的可靠性，避免因过电压而损坏。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并通过封装散热设计有效降低热阻，延长器件使用寿命。
另一个显著优势是其封装形式，通常采用TO-263（D2Pak）封装，具有良好的机械强度和热管理能力，适合表面贴装工艺。VUO25-06N07的快速开关特性也有助于降低开关损耗，在高频开关电源中表现优异。
VUO25-06N07广泛应用于多种功率电子系统中，例如：DC-DC转换器中的主开关或同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、电源管理单元（PMU）、负载开关控制、服务器和通信设备的电源模块、汽车电子中的功率控制系统等。由于其高可靠性和高效率特性，该MOSFET也适用于需要高功率密度和紧凑设计的工业和消费类电子产品。
SiRA14N60AD, IRFZ44N, IPB06N0410ATMA1, FDPF6N06AL
