时间：2025/6/18 17:22:21
阅读：4
GA1210A182FXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其设计旨在优化开关应用中的功率损耗，并提供卓越的可靠性和稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
电压等级：1200V
连续漏极电流：31A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：125nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247
GA1210A182FXAAR31G具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，有效减少功率损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性和散热性能，确保在高温环境下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
这些特性使得该器件非常适合用于工业级和商业级的电力电子设备中。
GA1210A182FXAAR31G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器和UPS系统
3. 电机驱动和控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动车充电系统
该器件凭借其高效能和高可靠性，成为上述应用的理想选择。
GA1210A182FXAAR31G的替代型号包括：IRGB14C40KD、STW96N120K5、INF120N06L
