VUO110-14N07是一款由Vishay Semiconductors制造的功率MOSFET模块,广泛应用于高功率和高电压场景,例如工业电机控制、电力转换系统以及电动汽车充电设备等。该模块采用先进的硅技术,具有较高的可靠性和耐用性,适用于需要高效能和高稳定性的应用。
类型:MOSFET模块
额定电压:1400V
额定电流:110A
导通电阻:典型值为7mΩ
封装形式:双列直插式(DIP)
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极驱动电压:20V最大
漏源击穿电压:1400V
最大功耗:300W
VUO110-14N07具备多项优秀的电气和热性能特性。其导通电阻低至7mΩ,有助于减少导通损耗,提高整体系统的效率。
此外,该器件支持高达110A的连续漏极电流,使其适用于高功率负载的应用场景。
在热管理方面,VUO110-14N07采用了高导热材料和优化的封装设计,能够在高温环境下稳定运行。
模块内部的MOSFET单元采用了先进的硅技术,提供了快速的开关速度,从而减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
同时,该模块还具备良好的短路和过载保护能力,增强了其在严苛工况下的可靠性。
最后,VUO110-14N07的双列直插式封装设计简化了安装过程,并提升了散热效率。
这款功率MOSFET模块主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子设备。常见的应用包括工业用变频器、电机驱动器、电源转换系统(如逆变器和整流器)、不间断电源(UPS)以及电动汽车的充电基础设施。
由于其高可靠性和热稳定性,它也适合用于需要长期运行的自动化系统和可再生能源设备,如太阳能逆变器和风力发电系统。
此外,VUO110-14N07还可用于电力传输和分配系统中的开关控制单元,确保电力系统在高负载条件下依然能够高效运行。
对于需要高效功率管理的高端应用,例如焊接设备、医疗电源设备和工业自动化控制系统,该模块同样是一个理想的选择。
VUO120-14N07, VUO110-16N07