VUE75-06N07 时间：2025/8/5 20:13:26 阅读：20

VUE75-06N07 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高电流、高效率的功率转换应用，具有较低的导通电阻和优良的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。VUE75-06N07 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，封装形式为 PowerPAK SO-8 双封装，具有良好的散热能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流 (Id)：75A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 2.7mΩ（最大值 3.7mΩ），在 Vgs=10V
　　最大功耗 (Ptot)：3.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 Dual

特性

VUE75-06N07 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，它具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，增强了开关性能并降低了寄生电容，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。
　　此外，VUE75-06N07 的 PowerPAK SO-8 双封装设计提供了出色的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB，延长器件的使用寿命。该封装还支持双面散热，进一步提高了散热效率。
　　其高栅极电压容限（±20V）允许使用标准的栅极驱动电路，并提高了器件的可靠性。此外，该器件的高电流承载能力（高达 75A）使其适用于高功率密度设计。
　　VUE75-06N07 还具备良好的温度稳定性，在广泛的温度范围内保持性能稳定，适合在恶劣环境下工作。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在高电压瞬态条件下的鲁棒性。

应用

VUE75-06N07 主要应用于需要高效功率管理和高电流处理能力的场合。例如，它广泛用于同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制器、电源管理单元（PMU）以及高功率 LED 驱动器等。此外，该器件还适用于工业自动化设备、电信电源系统和汽车电子系统中的功率转换模块。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，VUE75-06N07 在高性能电源供应器、服务器电源和便携式电子设备的电源管理电路中也得到了广泛应用。