VUD35-16N07 时间：2025/8/5 19:34:26 阅读：41

VUD35-16N07 是一款由Vishay Semiconductors推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效能和高可靠性应用场景。该器件适用于高电流、高频率的开关应用，具备低导通电阻和优良的热性能，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及汽车电子系统等领域。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：35A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大7.0mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：140W

特性

VUD35-16N07 具备多项显著特性，使其在高要求的电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流负载下损耗更低，从而提高整体效率并减少散热需求。其次，该器件的最大漏极电流为35A，能够在高功率应用中稳定运行。漏源电压（VDS）达到60V，使其适用于多种中等电压的开关和功率转换场景。
　　此外，VUD35-16N07 的栅源电压容限为±20V，具备较强的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动IC协同工作。其封装形式为TO-220，具备良好的热管理和机械稳定性，适合高可靠性和散热要求严格的应用场合。
　　器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，展现出卓越的环境适应能力，尤其适合在极端温度条件下工作的工业和汽车应用。该MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力，进一步提升了其在瞬态负载和过载条件下的稳定性。

应用

VUD35-16N07 主要用于需要高效率和高可靠性的功率管理应用。例如，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统中。在工业自动化和电机控制领域，该器件能够提供稳定的高电流切换能力，从而提高系统响应速度和能效。
　　在汽车电子系统中，该MOSFET可应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、起停系统以及电动空调压缩机等模块，满足汽车工业对可靠性和耐久性的严格要求。
　　此外，VUD35-16N07 也适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）及服务器电源等高功率密度应用，其低导通电阻和优良的热性能有助于降低能耗并提升系统整体效率。