时间：2025/6/19 19:05:05
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IPP062NE7N3G 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沤道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，专为高效率和低导通损耗的应用而设计。其优化的 RDS(on) 和 Qg 参数使其非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。
该芯片具有出色的热性能和电气性能，在高频工作条件下能提供高效的功率转换。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.24A
导通电阻：450mΩ
栅极电荷：12nC
功耗：3.1W
结温范围：-55℃ to 175℃
IPP062NE7N3G 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 提供了高效的功率传输能力。
2. 高击穿电压（600V），保证了在高压环境下的可靠性。
3. 较小的栅极电荷 (Qg) 减少了开关损耗，适合高频应用。
4. 采用 DPAK 封装形式，便于散热并提高热性能。
5. 支持广泛的工业标准封装尺寸，易于集成到各种电路设计中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
IPP062NE7N3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池保护电路
5. 各种负载切换及保护电路
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
IPP060N06N3G, IPP062NE7N3L
