时间：2025/8/6 6:16:15
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VUC36-16G02 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的功率MOSFET，主要用于高功率密度和高效率的应用。该器件采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高耐压特性，适用于电源管理、工业控制和电动车辆等领域。
类型：功率MOSFET
漏极电流（Id）：160A
漏极-源极击穿电压（Vds）：36V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
封装：PowerPAK 8x8
工作温度范围：-55°C 至 175°C
VUC36-16G02 MOSFET 的主要特点之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流工作时能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，确保在高温环境下依然具备稳定的性能。
该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达160A，适用于需要大电流操作的应用场景，如电动车辆的电源管理系统和工业电机控制。同时，其漏极-源极击穿电压为36V，能够满足多种中压应用的需求。
在封装方面，VUC36-16G02 采用 PowerPAK 8x8 封装，这种封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还具备较高的机械稳定性和可靠性，适用于高温和高振动的工业环境。其工作温度范围从 -55°C 到 175°C，确保了在极端环境下的稳定运行。
此外，该器件的栅极-源极电压范围为 ±20V，允许使用标准的栅极驱动器进行控制，简化了设计和集成过程。VUC36-16G02 还具备快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统响应速度。
VUC36-16G02 主要应用于高功率密度和高效率要求的电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电源管理模块、DC-DC转换器和电机控制系统。在工业领域，该器件适用于工业自动化设备、伺服电机控制、高功率电源供应器等应用。此外，它还可以用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及各种高电流负载开关应用。
由于其优异的热性能和机械稳定性，VUC36-16G02 也非常适合用于高温环境下的工业控制系统，例如工业加热设备和自动化生产线中的电机驱动模块。在消费电子领域，该器件可用于高性能电源管理单元，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
SiZ600DG, SQM160R03, FDBL0160N36B2
