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VUB120-12NO2T 发布时间 时间:2025/8/21 2:20:23 查看 阅读:16

VUB120-12NO2T 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的双极性功率晶体管(BJT)。这款晶体管属于NPN类型,主要用于高功率放大和开关应用。其设计适用于需要高电流和高电压操作的电路环境,比如工业控制系统、电源管理、以及各种高功率电子设备。VUB120-12NO2T采用了先进的制造工艺,以确保在高功率运行条件下仍能保持稳定性能。该器件通常采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适合在高功率和高温环境下工作。

参数

类型: NPN 双极性功率晶体管
  最大集电极电流(Ic): 120 A
  最大集电极-发射极电压(Vce): 1200 V
  最大集电极-基极电压(Vcb): 1400 V
  最大发射极-基极电压(Veb): 5 V
  最大功耗(Ptot): 400 W
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  存储温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: TO-247
  电流增益(hFE): 5 至 50(根据工作条件)
  过渡频率(fT): 5 MHz
  集电极-发射极饱和电压(Vce_sat): 最大 3.5 V(在 Ic=100A, Ib=10A)

特性

高电压耐受能力:VUB120-12NO2T具有高达1200V的集电极-发射极击穿电压,适用于高电压应用环境。这使得该晶体管在高压电源、工业设备以及电机驱动器中具有良好的适应性。
  高电流承载能力:该晶体管的最大集电极电流为120A,能够支持大电流负载的开关和放大功能,非常适合用于高功率开关电源、逆变器和电机控制电路。
  优异的热稳定性:采用TO-247封装设计,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行,提高了器件的可靠性。
  宽温度范围:可在-55°C至150°C的温度范围内工作,适应各种极端环境下的电子系统应用。
  电流增益范围广:该晶体管的电流增益(hFE)范围为5至50,具体数值取决于工作电流和基极电流。这种设计使其在不同工作条件下都能提供稳定的放大性能。
  低饱和压降:集电极-发射极饱和电压(Vce_sat)最大为3.5V,在大电流工作时仍能保持较低的功耗,有助于提高整体系统效率。
  高频性能:过渡频率(fT)为5MHz,表明该器件在中高频放大电路中也能表现良好,适用于需要一定频率响应的应用场景。
  广泛的应用兼容性:由于其高电压、大电流和优良的热管理性能,VUB120-12NO2T可以广泛应用于工业自动化、电源转换、电机控制、UPS系统等领域。

应用

工业电源和开关电源:用于大功率电源转换和调节电路,提供高效率的能量传输。
  电机控制和驱动:适用于交流和直流电机驱动器,作为功率开关元件,实现电机的高效控制。
  逆变器和变频器:在变频器和逆变器系统中用于将直流电转换为交流电,广泛应用于工业电机控制和可再生能源系统。
  不间断电源(UPS):作为UPS系统中的功率开关元件,提供可靠的电力切换和保护功能。
  测试和测量设备:用于高功率测试设备中,作为大电流负载控制或信号放大元件。
  自动化控制系统:在工业自动化系统中,作为高功率开关,用于控制各种执行器和负载设备。

替代型号

VUB120-12NO2TR STMicroelectronics
  VUB120-12NO2T-STM
  VUB120-12NO2G

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